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[发明专利]一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法-CN202210713269.9在审
发明人：杨琳;刘钊;张泽宇;褚雯霄;邱文会;朱小宁 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种铟铋合金相变界面材料及其制备方法、应用和熔点调控方法，制备方法：将金属铟和金属铋进行熔炼并混合均匀，冷却成型，得到固体铟铋合金相变材料；对固体铟铋合金相变材料进行润湿性优化处理：将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将润湿性优化助剂均匀涂覆于固体铟铋合金相变材料表面，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将松香类溶质溶于溶剂，得到润湿性优化助剂，将固体铟铋合金相变材料加热熔融并加入润湿性优化助剂，搅拌，成型，得到铟铋合金相变界面材料；或者，将固体铟铋合金相变材料进行等离子体处理，得到铟铋合金相变界面材料。所述铟铋合金相变界面材料表面润湿性得到显著改善，通过改变铟铋比例能调控其熔点。
一种合金相变界面材料及其制备方法应用熔点调控

[发明专利]一种铟磷铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器及其制备方法-CN201711002550.7有效
发明人：梁丹;王庶民;张丽 -专利权人：超晶科技（北京）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及材料学领域，特别是一种铟磷铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器及其制备方法，所述铟磷铋材料包括：磷化铟衬底；磷化铟缓冲层，设置在所述磷化铟衬底之上；及铟磷铋本体，设置在所述磷化铟缓冲层之上；所述铟磷铋本体的化学式为InP_1‑xBi_x，其中x是铋原子的浓度百分比，且0铟磷铋材料，具有较小的禁带宽度，同时更易生长并更加稳定。
一种铟磷铋材料及其制备方法使用激光器

[实用新型]复合铟层表面织构-CN201220236540.6有效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了复合铟层表面织构,所述的复合铟层表面织构设有两层结构，一层结构为在机械零件表面形成与具有促进形成润滑油吸附膜的铟复合材料层，一层结构为与铟复合材料层形成一体且具有促进形成润滑油吸附膜的铟材料层，铟材料层在铟复合材料层上层。
复合表面

[发明专利]纳米氧化铟粉体共铟球团织构层-CN201510523560.X有效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了纳米氧化铟粉体共铟球团织构层,所述的纳米氧化铟粉体共铟球团织构层是在零件设一表面材料层，表面材料层是由具有许多纳米氧化铟粉体共铟球团织构等组成，其中具有含呈近似小球状或短棒状、直径或长度尺寸在1～50nm的纳米氧化铟粉体、而许多个纳米氧化铟粉体聚集相互结合形成纳米氧化铟粉体团，纳米氧化铟粉体团上还设有1～100个直径在1～99nm、铟含量不少于90%的小球状的纳米铟球、纳米铟球与纳米氧化铟粉体团聚相互结合，形成纳米氧化铟粉体共铟球团织构，零件基体材料可为是相同成分或相同形状金相组织，零件基体材料也可为其它成份和其它形状金相组织，零件表面材料层和零件基体材料成为一体，形成纳米氧化铟粉体共铟球团织构层。
纳米氧化铟粉体共铟球团织构层

[发明专利]一种多孔氧化铟/硫化铟异质结材料的制备方法-CN201910392644.2在审
发明人：李晓伟;邵长路;李冰;李兴华;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔氧化铟/硫化铟异质结材料的制备方法，属于多孔无机材料领域。本发明提供的多孔氧化铟/硫化铟异质结材料的制备方法包括以下步骤：将聚乙烯吡咯烷酮、硝酸铟和水混合，形成前驱体溶液；将前驱体溶液依次进行冷冻处理和除冰处理，得到多孔结构的聚乙烯吡咯烷酮/硝酸铟杂化材料；将所述多孔结构的聚乙烯吡咯烷酮/硝酸铟杂化材料进行煅烧处理，得到多孔氧化铟；将所述多孔氧化铟与L‑半胱氨酸和水混合后，进行水热反应，得到多孔氧化铟/硫化铟异质结材料。
氧化铟制备异质结材料硫化铟聚乙烯吡咯烷酮硝酸铟前驱体溶液多孔结构杂化材料水混合多孔无机材料光催化活性半胱氨酸冷冻处理水热反应除冰煅烧

[发明专利]具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法-CN202211490001.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料
具有钇替位掺杂二维硒化铟半金属金属材料制备方法

[发明专利]铟复合材料表面织构-CN201210163778.5无效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C10/30 文献下载
摘要：本发明公开了铟复合材料表面织构,所述的铟复合材料表面织构是以机械零件的表面为基底金属，在基底金属上，将铟材料通过加热扩散进入基底金属形成新的、促进形成润滑油吸附膜的铟复合材料层，或通过离子注入基底金属形成促进形成润滑油吸附膜的铟复合材料层，然后在具有铟复合材料层的机械零件表面加工表面织构,表面织构由许多表面织构单元组成，再设一层与具有铟复合材料层的机械零件表面形成一体不分离而且具有促进形成润滑油吸附膜的铟材料层，形成铟复合材料表面织构。
复合材料表面

[发明专利]一种多层复合铟基热界面材料及其制备方法-CN202310074001.X有效
发明人：郭宏;张洁;谢忠南;孙明美;黄树晖;解浩峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层复合铟基热界面材料，包括：自上而下依次设置的带有预制构型的上纯铟层、铟基体与导热颗粒组成的铟基复合材料层、带有预制构型的下纯铟层。本发明还公开一种多层复合铟基热界面材料的制备方法，首先通过真空温压制备铟基复合材料并轧至所需厚度，然后将轧后的铟基复合材料与上下两纯铟层叠轧，最后在轧好的三层复合材料上下表面模压或轧制出构型。本发明提出的多层复合铟基热界面材料塑性好，更易发生形变来充分填充产热元件与散热元件间的微小缝隙来降低接触热阻；导热率高达90‑150 W/m·K；熔点高于150℃，使用时始终为固体，可避免出现熔化溢出致使短路的现象；且成本较纯铟热界面材料显著降低。
一种多层复合铟基热界面材料及其制备方法

[发明专利]一种铟磷氮铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器和探测器及其制备方法-CN201711001047.X有效
发明人：梁丹;王庶民;张丽 -专利权人：超晶科技（北京）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及材料学领域，特别是一种铟磷氮铋材料及其制备方法和使用该材料的激光器和探测器及其制备方法，所述铟磷氮铋材料包括：磷化铟衬底；磷化铟缓冲层，设置在所述磷化铟衬底之上；及铟磷氮铋本体，设置在所述磷化铟缓冲层之上；所述铟磷氮铋本体的化学式为InP1‑x‑yNxBiy，其中x和y是分别是氮原子和铋原子的浓度百分比，且0铟磷氮铋材料，具有较小的禁带宽度，同时更易生长并更加稳定。
一种铟磷氮铋材料及其制备方法使用激光器探测器

[发明专利]铟复合表面织构-CN201210163776.6无效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：本发明公开了铟复合表面织构,所述的铟复合表面织构是在机械零件的表面设有一能促进形成润滑油吸附膜的铟材料层，所述的铟材料层与机械零件表面材料层形成一体，组成铟复合材料层，然后,在具有铟复合材料层的机械零件的表面加工表面织构，表面织构由许多表面织构单元组成，表面织构单元的凹坑或凹痕的上部壁体为铟材料层，表面织构单元的凹坑或凹痕的其余部分为机械零件表面材料层，形成铟复合表面织构。
复合表面

[发明专利]一种钾离子电池用金属铟碳复合材料及其制备方法和应用-CN202210737183.X有效
发明人：王儒涛;朱春艳;秦玉莹;李庆誉;黄欣莉 -专利权人：山东大学;山东大学苏州研究院
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明属于新材料制备和电化学储能领域，提供了一种钾离子电池用金属铟碳复合材料及其制备方法和应用，呈现由无定形碳包裹铟金属纳米颗粒形成的纳米棒结构。其制备工艺则是通过在惰性气体和硫化气氛下，产生活化能低的硫化铟中间体，促进铟离子向铟金属颗粒充分分解，最终形成铟碳复合材料。硫化铟中间体诱导和无定形原位碳包覆的协同作用，显著降低了金属铟颗粒的纳米尺寸，促进了铟金属颗粒的均匀分布，同时为铟的体积膨胀提供有效的缓冲层，丰富了电化学活性位点，增强了导电性，有效提高了铟碳复合材料的电化学性能经实验表明，本发明制备的铟碳复合材料作为钾离子电池负极材料，具有良好的倍率性能和循环稳定性。
一种离子电池金属复合材料及其制备方法应用

[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途-CN200910083602.7无效
发明人：郭广生;樊军;顾福博 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途。铒掺杂氧化铟纳米气敏材料是氧化铒掺杂的氧化铟纳米材料，可表示为Er₂O₃-In₂O₃，其中Er/In摩尔比为0.25～2.5∶100；其中氧化铟为由30～60nm的颗粒组成的直径为200～300nm的中空球；氧化铒附着在氧化铟颗粒表面。本发明以铟盐、甲酰胺、间苯二酚为原料，采用水热法合成氢氧化铟中空微球，再经干燥、煅烧，得到氧化铟载体；再向氧化铟中加入铒盐溶液，经研磨、干燥、煅烧，得到铒掺杂氧化铟纳米材料。该气敏材料对乙醇具有高的灵敏度，可用于制作乙醇气体传感器。
掺杂氧化纳米材料及其制备方法用途

[发明专利]一种多孔氧化铟纳米材料及其制备方法-CN201710454906.4有效
发明人：陶凯;韩雪;韩磊 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔氧化铟纳米材料及其制备方法。本发明提供了一种多孔氧化铟纳米材料的制备方法，包括以下步骤：将铟盐、有机配体、水和有机溶剂混合，得到反应溶液，然后进行水热反应，得到多孔氧化铟纳米材料前驱体，最后进行煅烧，得到多孔氧化铟纳米材料。本发明以铟盐、有机配体、水和有机溶剂为原料，通过水热反应得到具有有机骨架结构的前驱体，再经煅烧得到多孔氧化铟纳米材料，制备方法简单，无需模板剂且产率高。实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的多孔氧化铟纳米材料产率为30.2～35.8％。
纳米材料氧化铟制备水热反应有机配体有机溶剂前驱体产率煅烧铟盐反应溶液有机骨架模板剂

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